{"id":20778,"date":"2023-06-21T02:00:49","date_gmt":"2023-06-21T02:00:49","guid":{"rendered":"https:\/\/domosistemas.com\/?p=20778"},"modified":"2023-06-21T02:00:49","modified_gmt":"2023-06-21T02:00:49","slug":"el-cea-leti-participa-en-el-desarrollo-de-una-tecnologia-de-transferencia-de-capas-delgadas-para-transistores","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/domosistemas.com\/?p=20778","title":{"rendered":"El CEA-Leti participa en el desarrollo de una tecnolog\u00eda de transferencia de capas delgadas para transistores"},"content":{"rendered":"
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El instituto de investigaci\u00f3n CEA-Leti<\/a> est\u00e1 participando en un proyecto de investigaci\u00f3n para desarrollar tecnolog\u00eda de transferencia de capas de dicalcogenuros de metales de transici\u00f3n bidimensionales (TMD 2D) en obleas de 300 mm con el objetivo de extender la Ley de Moore m\u00e1s all\u00e1 de 2030. Esta ley expresa que cada dos a\u00f1os aproximadamente se duplica el n\u00famero de transistores en un microprocesador.<\/p>\n

\"Microprocesador.\"
El proyecto desarrollar\u00e1 una tecnolog\u00eda de transferencia de capas de materiales 2D de alta calidad\u00a0a otro sustrato de dispositivo para la integraci\u00f3n del proceso de transistores.<\/figcaption><\/figure>\n

Con ese fin, el proyecto desarrollar\u00e1 una tecnolog\u00eda viable de transferencia de capas de materiales 2D de alta calidad, en obleas de 300 mm, a otro sustrato de dispositivo para la integraci\u00f3n del proceso de transistores. En el proyecto tambi\u00e9n participa Intel que aportar\u00e1 su experiencia en I+D y fabricaci\u00f3n, mientras que CEA-Leti proporcionar\u00e1 su experiencia en capas de enlace, transferencia y caracterizaci\u00f3n a gran escala.<\/p>\n

Materiales para fabricar semiconductores en capas 2D<\/h2>\n

Para este proyecto, los semiconductores en capas 2D, como los TMD basados \u200b\u200ben molibdeno y tungsteno, son candidatos prometedores para ampliar la Ley de Moore y garantizar el escalado final de los transistores MOSFET, ya que los 2D-FET proporcionan un grosor de canal de transistor sub-1nm innato.<\/p>\n

Estos semiconductores son \u00f3ptimos para plataformas de alto rendimiento y baja potencia debido a su buen transporte de portadores y movilidad, incluso para capas at\u00f3micamente delgadas. Adem\u00e1s, el grosor del cuerpo de su dispositivo y la banda prohibida de energ\u00eda moderada conducen a un mejor control electrost\u00e1tico y, por lo tanto, a bajas corrientes fuera de estado.<\/p>\n

Estas caracter\u00edsticas posicionan a los dispositivos de nanol\u00e1minas apiladas 2D-FET como una soluci\u00f3n prometedora para escalar transistores m\u00e1s all\u00e1 de 2030, lo que requerir\u00e1 un crecimiento de canal 2D de alta calidad, transferencia adaptada y m\u00f3dulos de proceso robustos.<\/p>\n

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