{"id":20994,"date":"2023-07-11T02:00:26","date_gmt":"2023-07-11T02:00:26","guid":{"rendered":"https:\/\/domosistemas.com\/?p=20994"},"modified":"2023-07-11T02:00:26","modified_gmt":"2023-07-11T02:00:26","slug":"la-universidad-de-tohoku-investiga-un-nuevo-material-para-la-tecnologia-de-memoria-de-proxima-generacion","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/domosistemas.com\/?p=20994","title":{"rendered":"La Universidad de Tohoku investiga un nuevo material para la tecnolog\u00eda de memoria de pr\u00f3xima generaci\u00f3n"},"content":{"rendered":"
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Un grupo de investigadores de la Universidad de Tohoku<\/a> (Jap\u00f3n) ha destacado el uso potencial de la pulverizaci\u00f3n cat\u00f3dica para fabricar tetracalcogenuros 2D de Van Der Waals (vdW) de gran \u00e1rea, con el fin de obtener un nuevo material para generar la tecnolog\u00eda de memoria de pr\u00f3xima generaci\u00f3n. Con esta t\u00e9cnica, fabricaron e identificaron un material prometedor, el telururo de niobio (NbTe 4) que presenta un punto de fusi\u00f3n ultrabajo de aproximadamente 447\u00baC (temperatura de inicio).<\/p>\n

\"Nuevo
El nuevo material se ha fabricado con la t\u00e9cnica de pulverizaci\u00f3n cat\u00f3dica para crear pel\u00edculas 2D.<\/figcaption><\/figure>\n

La memoria de cambio de fase es un tipo de memoria no vol\u00e1til que aprovecha la capacidad de un material de cambio de fase (PCM) para pasar de un estado amorfo, es decir, donde los \u00e1tomos est\u00e1n desorganizados, a un estado cristalino, donde los \u00e1tomos est\u00e1n muy juntos. Este cambio produce una propiedad el\u00e9ctrica reversible que puede dise\u00f1arse para almacenar y recuperar datos.<\/p>\n

Si bien este campo est\u00e1 en sus inicios, la memoria de cambio de fase podr\u00eda revolucionar potencialmente el almacenamiento de datos debido a su alta densidad de almacenamiento y capacidades de lectura y escritura m\u00e1s r\u00e1pidas. Pero, aun as\u00ed, el complejo mecanismo de conmutaci\u00f3n y los intrincados m\u00e9todos de fabricaci\u00f3n asociados con estos materiales han planteado desaf\u00edos para la producci\u00f3n en masa.<\/p>\n

En los \u00faltimos a\u00f1os, los dicalcogenuros de metales de transici\u00f3n bidimensionales (2D) de Van Der Waals (vdW) han surgido como un PCM prometedor para su uso en la memoria de cambio de fase.<\/p>\n

Creaci\u00f3n de pel\u00edculas mediante la pulverizaci\u00f3n<\/h2>\n

Gracias a la t\u00e9cnica utilizada por los investigadores, la pulverizaci\u00f3n es una t\u00e9cnica ampliamente utilizada que consiste en depositar pel\u00edculas delgadas de un material sobre un sustrato, lo que permite un control preciso sobre el grosor y la composici\u00f3n de la pel\u00edcula. Las pel\u00edculas de NbTe 4 depositadas de la Universidad de Tohoku eran inicialmente amorfas, pero pod\u00edan cristalizarse en una fase cristalina en capas 2D mediante recocido a temperaturas superiores a 272\u00baC.<\/p>\n

A diferencia de los PCM amorfo-cristalinos convencionales, NbTe 4 demuestra un punto de fusi\u00f3n bajo y una temperatura de cristalizaci\u00f3n alta. Esta combinaci\u00f3n \u00fanica ofrece energ\u00edas de reinicio reducidas y estabilidad t\u00e9rmica mejorada en la fase amorfa.<\/p>\n

Despu\u00e9s de fabricar los NbTe 4, los investigadores evaluaron su rendimiento de conmutaci\u00f3n. El material mostr\u00f3 una reducci\u00f3n significativa en la energ\u00eda de operaci\u00f3n en comparaci\u00f3n con los compuestos de memoria de cambio de fase convencionales. Se encontr\u00f3 que la temperatura estimada de retenci\u00f3n de datos de 10 a\u00f1os era tan alta como 135\u00baC, lo que sugiere una excelente estabilidad t\u00e9rmica y la posibilidad de que NbTe 4 se use en entornos de alta temperatura, como en la industria automotriz. Adem\u00e1s, NbTe 4 demostr\u00f3 una velocidad de conmutaci\u00f3n r\u00e1pida de aproximadamente 30 nanosegundos, lo que destaca a\u00fan m\u00e1s su potencial como memoria de cambio de fase de pr\u00f3xima generaci\u00f3n.<\/p>\n

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