{"id":21623,"date":"2023-09-19T02:00:15","date_gmt":"2023-09-19T02:00:15","guid":{"rendered":"https:\/\/domosistemas.com\/?p=21623"},"modified":"2023-09-19T02:00:15","modified_gmt":"2023-09-19T02:00:15","slug":"los-investigadores-de-tokyo-tech-crean-un-nuevo-dispositivo-de-memoria-mas-rapido-para-iot","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/domosistemas.com\/?p=21623","title":{"rendered":"Los investigadores de Tokyo Tech crean un nuevo dispositivo de memoria m\u00e1s r\u00e1pido para IoT"},"content":{"rendered":"
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Una nueva memoria semiconductora ferroel\u00e9ctrica desarrollada por investigadores del Instituto de Tecnolog\u00eda de Tokio (Tokyo Tech<\/a>) ofrece nuevas capacidades de almacenamiento y procesamiento de datos, allanando el camino para generar dispositivos m\u00e1s r\u00e1pidos y con mayor eficiencia energ\u00e9tica.<\/p>\n

\"Memoria
El dispositivo ofrece nuevas capacidades de almacenamiento y procesamiento de datos.<\/figcaption><\/figure>\n

Las tecnolog\u00edas de memoria tradicionales enfrentan limitaciones en t\u00e9rminos de velocidad, escalabilidad y consumo de energ\u00eda, lo que las hace inadecuadas para futuras aplicaciones con uso intensivo de datos. Por su parte, la memoria ferroel\u00e9ctrica ha despertado un inter\u00e9s en los \u00faltimos a\u00f1os debido a su potencial de almacenamiento no vol\u00e1til, que permite la retenci\u00f3n de datos incluso cuando se corta la energ\u00eda.<\/p>\n

El desarrollo del material bidimensional (2D) de van der Waals \u03b1-In 2 Se 3 tambi\u00e9n ha abierto nuevas oportunidades para el avance de las tecnolog\u00edas de memoria. La memoria ferroel\u00e9ctrica da un paso de gigante al incorporar las notables propiedades del \u03b1-In 2 Se 3. Es conocido por su alta movilidad de portadora, banda prohibida sintonizable y fuertes propiedades ferroel\u00e9ctricas a nivel at\u00f3mico, lo que lo hace \u00f3ptimo para aplicaciones de memoria de alta velocidad.<\/p>\n

Nuevo dispositivo de memoria<\/h2>\n

El equipo de investigaci\u00f3n ha propuesto un nuevo concepto de estructura de contacto inferior a nivel nanoescala. En concreto ha desarrollado un dispositivo de memoria semiconductor ferroel\u00e9ctrico con un contacto inferior estructurado con nanoespacios de dos terminales aprovechando el cambio de polarizaci\u00f3n IP de \u03b1-In 2 Se 3.<\/p>\n

A diferencia de los dispositivos anteriores, en el presente dise\u00f1o el \u03b1-In 2 Se 3 se exfolia sobre electrodos como contacto inferior. La polarizaci\u00f3n IP se puede invertir aplicando un voltaje de drenaje a trav\u00e9s de un canal con una longitud relativamente estrecha de 100 nm. Este dise\u00f1o de canal lateral proporciona una mayor densidad de memoria, lo que permite la integraci\u00f3n de muchas celdas de memoria en un solo chip.<\/p>\n

Adem\u00e1s, la configuraci\u00f3n de memoria lateral empleada en la tecnolog\u00eda propuesta permite una integraci\u00f3n perfecta con las t\u00e9cnicas de fabricaci\u00f3n de dispositivos semiconductores existentes, facilitando una transici\u00f3n fluida de las tecnolog\u00edas de memoria actuales a la memoria ferroel\u00e9ctrica no vol\u00e1til.<\/p>\n

Los investigadores descubrieron que la memoria ferroel\u00e9ctrica \u03b1-In 2 Se 3 exhibe una conmutaci\u00f3n resistiva t\u00edpica, una alta relaci\u00f3n de encendido\/apagado de m\u00e1s de 10\u00b3, una gran ventana de memoria de 13 V, buena retenci\u00f3n durante 17 horas y resistencia durante 1200 ciclos.<\/p>\n

Los investigadores consideran que este dise\u00f1o allanar\u00e1 el camino en el que se almacenan y se accede a los datos y abrir\u00e1 oportunidades para diversas aplicaciones, incluida la inteligencia artificial, la inform\u00e1tica de punta y los dispositivos de IoT.<\/p>\n

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Una nueva memoria semiconductora ferroel\u00e9ctrica desarrollada por investigadores del Instituto de Tecnolog\u00eda de Tokio (Tokyo Tech) ofrece nuevas capacidades de almacenamiento y procesamiento de datos, allanando el camino para generar dispositivos m\u00e1s r\u00e1pidos y con mayor eficiencia energ\u00e9tica. El dispositivo ofrece nuevas capacidades de almacenamiento y procesamiento de datos. Las tecnolog\u00edas de memoria tradicionales enfrentan … Sigue leyendo Los investigadores de Tokyo Tech crean un nuevo dispositivo de memoria m\u00e1s r\u00e1pido para IoT<\/span><\/a><\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"footnotes":""},"categories":[3],"tags":[],"class_list":["post-21623","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-casadomo-com"],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/domosistemas.com\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts\/21623","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/domosistemas.com\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/domosistemas.com\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/domosistemas.com\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/domosistemas.com\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Fcomments&post=21623"}],"version-history":[{"count":0,"href":"https:\/\/domosistemas.com\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts\/21623\/revisions"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/domosistemas.com\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Fmedia&parent=21623"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/domosistemas.com\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Fcategories&post=21623"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/domosistemas.com\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Ftags&post=21623"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}