{"id":22967,"date":"2024-01-31T03:00:08","date_gmt":"2024-01-31T03:00:08","guid":{"rendered":"https:\/\/domosistemas.com\/?p=22967"},"modified":"2024-01-31T03:00:08","modified_gmt":"2024-01-31T03:00:08","slug":"la-tecnologia-microled-de-cea-leti-permite-matrices-led-con-mayor-velocidad-de-datos-y-eficiencia","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/domosistemas.com\/?p=22967","title":{"rendered":"La tecnolog\u00eda microLED de CEA-Leti permite matrices LED con mayor velocidad de datos y eficiencia"},"content":{"rendered":"
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El instituto de investigaci\u00f3n CEA-Leti<\/a> ha publicado dos art\u00edculos donde se analiza el progreso hacia la mejora del ancho de banda y la eficiencia de microLED. Su tecnolog\u00eda microLED mejora la fabricaci\u00f3n de las matrices de LED, ofreciendo una mayor densidad de velocidad de datos y estrategias para reducir su p\u00e9rdida de eficiencia en tama\u00f1os peque\u00f1os.<\/p>\n

\"MicroLED.\"
Los art\u00edculos abordan la fabricaci\u00f3n de matrices LED que ofrezcan mayor densidad de velocidad de datos y estrategias para reducir su p\u00e9rdida de eficiencia en tama\u00f1os peque\u00f1os.<\/figcaption><\/figure>\n

Como se describe en el art\u00edculo \u2018Comunicaci\u00f3n paralela con micro-LED InGaN\/GaN utilizando un enfoque compatible con CMOS<\/a>\u2019, fabricar LED directamente sobre un sustrato de silicio de 200 mm abre el camino para producir una matriz de LED de unas pocas micras que se controlan individualmente mediante dispositivos dedicados de circuitos CMOS. El objetivo de los investigadores es utilizar una serie de LED para emitir luz y detectarla mediante una serie de fotodiodos, ambos fabricados de GaN.<\/p>\n

Los microLED de InGaN\/GaN son un fuerte candidato para permitir comunicaciones luminosas de alta velocidad de datos debido a su robustez, disponibilidad a gran escala y capacidad para alcanzar un ancho de banda a escala de GHz. Su uso en una matriz permite una transmisi\u00f3n masiva en paralelo que conduce a una alta densidad de velocidad de datos.<\/p>\n

Tambi\u00e9n se ha desarrollado un proceso patentado por CEA-Leti para integrar una matriz de LED GaN sobre un ASIC CMOS. En este enfoque compatible con CMOS, la integraci\u00f3n de los microLED se optimiz\u00f3 uni\u00e9ndolos directamente sobre una oblea de silicio de 200 mm y utilizando dispositivos basados \u200b\u200ben GaN como emisores y fotodetectores r\u00e1pidos.<\/p>\n

Eficiencia de los microLED<\/h2>\n

\u200bTrabajos anteriores han demostrado que la eficiencia de los microLED disminuye a medida que su tama\u00f1o pasa del rango de mil\u00edmetros a micr\u00f3metros, porque aumenta la cantidad de portadores que pueden difundirse y recombinarse de manera no radiativa en las paredes laterales defectuosas. Por lo tanto, pasivar los centros no radiativos y minimizar la longitud de difusi\u00f3n del portador parece ser fundamental para producir microLED de alta eficiencia.<\/p>\n

En este contexto, CEA-Leti se ha centrado durante muchos a\u00f1os en mejorar la eficiencia de los microLED, en particular centr\u00e1ndose primero en la pasivaci\u00f3n de defectos y en la comprensi\u00f3n del impacto de la difusi\u00f3n de portadores.<\/p>\n

Respecto al segundo art\u00edculo \u2018Influencia del espesor del pozo cu\u00e1ntico en la longitud de difusi\u00f3n del portador en pozos cu\u00e1nticos de InGaN cultivados en zafiro, GaN independiente y Si<\/a>\u2019, destaca la estrategia para reducir la ca\u00edda de eficiencia de los LED de InGaN\/GaN que viene con un tama\u00f1o de p\u00edxel m\u00e1s peque\u00f1o mediante la comprensi\u00f3n y controlar la difusi\u00f3n del portador.<\/p>\n

En este art\u00edculo se muestra experimentalmente que la longitud de difusi\u00f3n se puede reducir disminuyendo el espesor del pozo cu\u00e1ntico de InGaN, como predice la teor\u00eda. Adem\u00e1s de presentarse un comportamiento inesperado y dependiente de la potencia de la difusi\u00f3n observado en grandes pozos cu\u00e1nticos que puede ayudar a comprender la f\u00edsica de los emisores.<\/p>\n

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