{"id":23714,"date":"2024-04-02T02:00:32","date_gmt":"2024-04-02T02:00:32","guid":{"rendered":"https:\/\/domosistemas.com\/?p=23714"},"modified":"2024-04-02T02:00:32","modified_gmt":"2024-04-02T02:00:32","slug":"cea-leti-desarrolla-dispositivos-micro-led-y-transistores-mediante-el-uso-del-componente-epitaxia","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/domosistemas.com\/?p=23714","title":{"rendered":"CEA-Leti desarrolla dispositivos micro-LED y transistores mediante el uso del componente epitaxia"},"content":{"rendered":"
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La epitaxia es la capacidad general de hacer crecer cristales o depositar un material sobre sustrato, y se ha convertido en un proceso clave en el desarrollo de dispositivos que dependen de sustratos. Existen muchos tipos, cada uno de los cuales tiene sus propios campos de aplicaci\u00f3n. El instituto de investigaci\u00f3n CEA-Leti<\/a> cubre una amplia gama de aplicaciones, incluido el trabajo reciente sobre epitaxia de nitruro, especialmente adaptado a transistores de potencia o de radiofrecuencia, as\u00ed como a micro-LED.<\/p>\n

\"CEA-Leti.\"
La epitaxia tiene la capacidad de hacer crecer cristales o depositar un material sobre sustrato, permitiendo as\u00ed mejorar el rendimiento tanto de los micro-LED como de los transistores de potencia y radiofrecuencia.<\/figcaption><\/figure>\n

Los investigadores trabajan con una variedad de materiales basados \u200b\u200ben silicio, germanio y esta\u00f1o o en nitruros de galio, aluminio e indio. El problema para un especialista en epitaxia es hacer crecer un cristal sobre otro cristal minimizando la tensi\u00f3n de las capas y evitando la formaci\u00f3n de defectos. Para habilitar dispositivos innovadores, los investigadores de CEA-Leti cultivan pilas complejas de diversos materiales para crear capas \u00fanicas o m\u00faltiples con espesores de hasta varios cientos de nan\u00f3metros.<\/p>\n

\u200bEn el caso de los nitruros, el objetivo es desarrollar transistores de potencia y de radiofrecuencia, as\u00ed como micro-LED para diversos sectores, como la industria automovil\u00edstica, las comunicaciones y las micropantallas. Uno de los desaf\u00edos en el campo de las micropantallas es hacer crecer tres p\u00edxeles (rojo, verde y azul) en el mismo sustrato con alta eficiencia cu\u00e1ntica. Recientemente, los investigadores consiguieron p\u00edxeles azules y verdes en el mismo sustrato. Tambi\u00e9n lograron zonas activas homog\u00e9neas que emit\u00edan en el rango rojo gracias a un enfoque innovador de epitaxia que incorpora hasta un 45% de indio.<\/p>\n

Mejora del rendimiento de los transistores N-MOS<\/h2>\n

La epitaxia puede ayudar a impulsar las aplicaciones con tecnolog\u00eda FDSOI en obleas de silicio de 300 mm. Para el \u00e9xito de esta tecnolog\u00eda es necesario la creaci\u00f3n de una conducci\u00f3n el\u00e9ctrica optimizada que reduce las corrientes de fuga. Para lograr un contacto eficiente, los investigadores tuvieron que comprender c\u00f3mo espesar selectivamente las regiones de fuente y drenaje de los transistores N-MOS utilizando f\u00f3sforo de silicio dopado in situ (Si:P) mediante epitaxia.<\/p>\n

El uso de Si:P reduce la resistencia de la uni\u00f3n y mejora enormemente la intensidad de la corriente el\u00e9ctrica. En 2023, CEA-Leti consigui\u00f3 optimizar significativamente las propiedades del material Si:P mediante epitaxia y pudieron mejorar el rendimiento del transistor en un 50%. Actualmente, los investigadores est\u00e1n trabajando en el desarrollo de una nueva generaci\u00f3n de epitaxia Si:P de baja temperatura en los laboratorios de investigaci\u00f3n de CEA-Leti para incorporar a\u00fan m\u00e1s f\u00f3sforo ionizado en las regiones de inter\u00e9s de origen y drenaje.<\/p>\n

Adem\u00e1s de trabajar en transistores N-MOS, los investigadores de CEA-Leti est\u00e1n innovando para mejorar el rendimiento de los transistores P-MOS. En lugar de utilizar Si:P, los investigadores est\u00e1n desarrollando un proceso de epitaxia que se basa en silicio-germanio dopado con boro (SiGe:B). Este enfoque garantizar\u00e1 que las generaciones futuras de procesos de epitaxia est\u00e9n listas para satisfacer las necesidades de la tecnolog\u00eda FD-SOI de 10 nm.<\/p>\n

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