{"id":24659,"date":"2024-06-17T03:04:35","date_gmt":"2024-06-17T03:04:35","guid":{"rendered":"https:\/\/domosistemas.com\/?p=24659"},"modified":"2024-06-17T03:04:35","modified_gmt":"2024-06-17T03:04:35","slug":"nueva-tecnica-de-deposicion-de-materiales-horizontal-para-semiconductores-bidimensionales","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/domosistemas.com\/?p=24659","title":{"rendered":"Nueva t\u00e9cnica de deposici\u00f3n de materiales horizontal para semiconductores bidimensionales"},"content":{"rendered":"
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La Universidad de Corea y el Instituto Avanzado de Ciencia y Tecnolog\u00eda de Corea (KAIST<\/a>) han trabajado conjuntamente en el desarrollo de una tecnolog\u00eda de n\u00facleos semiconductores bidimensionales de pr\u00f3xima generaci\u00f3n. Esta tecnolog\u00eda de micropatrones de 10 nan\u00f3metros o menos para \u00f3xidos, metales, etc., utiliza las propiedades de crecimiento horizontal de los semiconductores bidimensionales.<\/p>\n

\"Tecnolog\u00eda
Los investigadores realizar\u00e1n una deposici\u00f3n selectiva con diversos materiales.<\/figcaption><\/figure>\n

A diferencia de los procesos semiconductores existentes que requieren procesos complejos, como la deposici\u00f3n de materiales, el modelado y el grabado, la tecnolog\u00eda para depositar selectivamente materiales directamente s\u00f3lo en \u00e1reas deseadas est\u00e1 atrayendo gran atenci\u00f3n como tecnolog\u00eda de pr\u00f3xima generaci\u00f3n que puede reducir dr\u00e1sticamente el proceso.<\/p>\n

El equipo de investigaci\u00f3n aplic\u00f3 las caracter\u00edsticas cristalogr\u00e1ficas \u00fanicas del material calc\u00f3geno de metal de transici\u00f3n bidimensional, de especial inter\u00e9s como material semiconductor, a la tecnolog\u00eda de modelado. A diferencia de los materiales generales, los materiales bidimensionales solo pueden crecer en direcci\u00f3n horizontal, por lo que es posible producir patrones lineales de semiconductores bidimensionales de 10 nan\u00f3metros o menos haciendo crecer repetidamente diferentes materiales bidimensionales.<\/p>\n

Al cultivar diversos materiales (\u00f3xidos, metales o materiales de cambio de fase) en un patr\u00f3n tan lineal, se descubri\u00f3 el fen\u00f3meno de la deposici\u00f3n selectiva solo en un \u00e1rea. Se puede esperar que esta tecnolog\u00eda reduzca el tama\u00f1o del patr\u00f3n del material objetivo y aumente la eficiencia del proceso de fabricaci\u00f3n de dispositivos semiconductores bidimensionales.<\/p>\n

En general, el tama\u00f1o del patr\u00f3n lineal est\u00e1 determinado por el tiempo de entrada de las mol\u00e9culas gaseosas utilizadas en la s\u00edntesis de materiales bidimensionales. En este estudio, se ha conseguido formar un tama\u00f1o de patr\u00f3n de 1 nan\u00f3metro por segundo, reduciendo efectivamente el tama\u00f1o en comparaci\u00f3n con las tecnolog\u00edas de patrones basadas en luz existentes.<\/p>\n

Deposici\u00f3n selectiva de los materiales<\/h2>\n

La tecnolog\u00eda de deposici\u00f3n selectiva desarrollada por el equipo de investigaci\u00f3n deposit\u00f3 selectivamente el material deseado en una sola \u00e1rea, incluso en un patr\u00f3n estrecho con un ancho de l\u00ednea de aproximadamente 10 nan\u00f3metros y, a diferencia de las tecnolog\u00edas existentes, la deposici\u00f3n selectiva fue posible incluso con un espesor de 20 nan\u00f3metros o m\u00e1s.<\/p>\n

La tecnolog\u00eda desarrollada por el equipo de investigaci\u00f3n se puede aplicar a una variedad de materiales, como aislantes de alta constante diel\u00e9ctrica (\u00f3xido de aluminio o \u00f3xido de hafnio) y metales para electrodos (rutenio), que son esenciales para la fabricaci\u00f3n de dispositivos en la industria de semiconductores. Adem\u00e1s, la \u00f3ptima escalabilidad del material es posible gracias al nuevo mecanismo de deposici\u00f3n selectiva propuesto por el equipo de investigaci\u00f3n, y se espera que se utilice en el desarrollo de una tecnolog\u00eda de aplicaci\u00f3n m\u00e1s amplia en el futuro.<\/p>\n

Los investigadores esperan que esta tecnolog\u00eda ayude a formar de manera efectiva electrodos y aisladores de compuerta en semiconductores bidimensionales. Esto servir\u00e1 como un elemento tecnol\u00f3gico clave cuando los semiconductores bidimensionales reemplacen al silicio en el futuro y podr\u00e1 aplicarse activamente en el mercado de semiconductores.<\/p>\n

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