{"id":24759,"date":"2024-06-25T02:00:09","date_gmt":"2024-06-25T02:00:09","guid":{"rendered":"https:\/\/domosistemas.com\/?p=24759"},"modified":"2024-06-25T02:00:09","modified_gmt":"2024-06-25T02:00:09","slug":"cea-leti-presenta-sus-progresos-en-las-tecnologias-3d-para-sistemas-integrados-de-radiofrecuencia","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/domosistemas.com\/?p=24759","title":{"rendered":"CEA-Leti presenta sus progresos en las tecnolog\u00edas 3D para sistemas integrados de radiofrecuencia"},"content":{"rendered":"
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Los cient\u00edficos del instituto de investigaci\u00f3n CEA-Leti<\/a> est\u00e1n trabajando con tecnolog\u00edas de integraci\u00f3n 3D, que son un enfoque prometedor para dise\u00f1ar sistemas More than Moore, especialmente en sistemas integrados de radiofrecuencia (RF). Las t\u00e9cnicas de integraci\u00f3n 3D permiten que los transistores CMOS de alta densidad coexistan con transistores fabricados con materiales III-V, que pueden alcanzar niveles de potencia y frecuencias inalcanzables con las tecnolog\u00edas de silicio convencionales. Las posibles aplicaciones incluyen comunicaciones, IoT, dispositivos m\u00e9dicos y sensores automotrices.<\/p>\n

\"Chips.\"
Los documentos abordan un enfoque para dise\u00f1ar transistores CMOS de alta densidad para diferentes aplicaciones, como IoT, dispositivos m\u00e9dicos y sensores automotrices.<\/figcaption><\/figure>\n

CEA-Leti ha publicado cuatro art\u00edculos que abordan las investigaciones con tecnolog\u00edas de integraci\u00f3n 3D. Bajo el t\u00edtulo \u2018Integraci\u00f3n h\u00edbrida de interconexiones 3D-RF en un transistor de RF HEMT AlGaN\/GaN\/Si con 2,2 W\/mm Psat y 41% PAE a 28 GHz utilizando una t\u00e9cnica de enlace heterog\u00e9neo de chiplet robusta y rentable\u2019, los investigadores explican el apilamiento de un transistor de alta movilidad de electrones (HEMT) de AlGaN\/GaN\/Si en l\u00edneas de gu\u00eda de ondas coplanares (CPW) fabricadas sobre un sustrato rico en trampas de silicio de 200 mm.<\/p>\n

Las l\u00edneas HEMT y CPW se interconectaron con pilares de cobre (CuPi) mediante una integraci\u00f3n heterog\u00e9nea de chiplets. Gracias a la integraci\u00f3n de interconexiones CuPi de baja p\u00e9rdida de inserci\u00f3n, el transistor HEMT presenta una densidad de potencia de salida de 2,2 W\/mm a 10 V y un PAE m\u00e1ximo de 41%.<\/p>\n

El documento \u2018Primeros circuitos de radiofrecuencia fabricados en el nivel superior de un proceso de integraci\u00f3n secuencial 3D completo en mmW para aplicaciones 5G\u2019 se detalla c\u00f3mo los circuitos de RF compatibles con 5G (30 GHz) se han apilado directamente sobre una computadora digital en funcionamiento. Los circuitos de RF de silicio anal\u00f3gico, fabricados secuencialmente a 500\u00b0C sobre una capa de circuito digital con una plataforma industrial FD-SOI de 28 nm, presentaron un rendimiento en l\u00ednea con los dispositivos FD-SOI est\u00e1ndar de presupuesto t\u00e9rmico.<\/p>\n

Procesos innovadores para dispositivos CMOS<\/h2>\n

Por su parte, el art\u00edculo \u2018Procesos innovadores para dispositivos Si CMOS con compatibilidad BEOL para aplicaciones anal\u00f3gicas integradas secuenciales 3D m\u00e1s que Moore\u2019, explica c\u00f3mo desbloquear \u2018espect\u00e1culos\u2019 de baja temperatura en dispositivos BEOL anal\u00f3gicos vers\u00e1tiles de alto voltaje (>2,5 V, 400\u00b0C).<\/p>\n

Esta investigaci\u00f3n tambi\u00e9n demostr\u00f3 los dispositivos de silicio monocristalino con una puerta de polietileno compatible con CMOS, gracias al reconocido l\u00e1ser de nanosegundos en r\u00e9gimen de fusi\u00f3n y la activaci\u00f3n de dopantes de uni\u00f3n sin difusi\u00f3n a 400\u00b0C. Esto preserva el perfil de uni\u00f3n dise\u00f1ado y cura la pila de compuertas de baja temperatura, logrando rendimientos en l\u00ednea con la tecnolog\u00eda CMOS anal\u00f3gica planar.<\/p>\n

Por \u00faltimo, el cuarto documento aborda un estimulador neuronal adiab\u00e1tico inal\u00e1mbrico de corriente constante y sin fuente de corriente que logra un factor de eficiencia de estimulaci\u00f3n de RF a electrodo mejorado de 5,5 a 27,7 veces.<\/p>\n

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