{"id":25503,"date":"2024-09-05T02:00:44","date_gmt":"2024-09-05T02:00:44","guid":{"rendered":"https:\/\/domosistemas.com\/?p=25503"},"modified":"2024-09-05T02:00:44","modified_gmt":"2024-09-05T02:00:44","slug":"estudian-materiales-para-fabricar-chips-de-alto-rendimiento-que-mejoren-la-operacion-del-dispositivo","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/domosistemas.com\/?p=25503","title":{"rendered":"Estudian materiales para fabricar chips de alto rendimiento que mejoren la operaci\u00f3n del dispositivo"},"content":{"rendered":"
\n

La Universidad de Granada<\/a> ha participado en un estudio que propone la fabricaci\u00f3n de transistores de \u00faltima generaci\u00f3n con materiales bidimensionales para los altos niveles de integraci\u00f3n que la industria necesita en aplicaciones avanzadas de computaci\u00f3n y, en concreto, en transistores de \u00faltima generaci\u00f3n para chips de alto rendimiento.<\/p>\n

\"Transistores
La combinaci\u00f3n platino-nitruro de boro hexagonal muestra una corriente de fuga 500 veces menor que la de oro-nitruro de boro hexagonal.<\/figcaption><\/figure>\n

El estudio, formado por investigadores de 11 entidades y liderado por la National University of Singapore, ha descubierto que los materiales de puerta para transistores como la combinaci\u00f3n platino-nitruro de boro hexagonal muestra una corriente de fuga 500 veces menor que la de oro-nitruro de boro hexagonal, la m\u00e1s habitualmente utilizada en la actualidad.<\/p>\n

El uso del platino y el nitruro de boro hexagonal presenta altos campos de rotura diel\u00e9ctrica, al menos de 25 MV\/cm. Estos resultados, junto a los detalles del desarrollo de la tecnolog\u00eda, se recogen en el art\u00edculo publicado<\/a> recientemente en la revista Nature Electronics.<\/p>\n

Uso de diel\u00e9ctricos de alta-k<\/h2>\n

A principios de los a\u00f1os 2000, muchas empresas experimentaron con diel\u00e9ctricos de alta-k (alta constante diel\u00e9ctrica) como un posible reemplazo del diel\u00e9ctrico de puerta ultradelgado de \u00f3xido de silicio que se utilizaba. Sin embargo, la mayor\u00eda de los intentos fracasaron debido a la falta de compatibilidad de esos diel\u00e9ctricos con los materiales adyacentes de la tecnolog\u00eda de fabricaci\u00f3n CMOS.<\/p>\n

En 2004, Intel Corporation descubri\u00f3 que la introducci\u00f3n de diel\u00e9ctricos de puerta de alta-k requer\u00eda ajustar la composici\u00f3n del electrodo de puerta, y pasaron del polisilicio que se utilizaba hasta ese momento al metal. Intel comenz\u00f3 a comercializar esa tecnolog\u00eda en 2008, y, en la actualidad, todos los transistores de tama\u00f1o nanom\u00e9trico se basan en la tecnolog\u00eda de puerta formada por un metal y un diel\u00e9ctrico de alta-k.<\/p>\n

Mejora de la operaci\u00f3n del dispositivo y su fiabilidad<\/h2>\n

En este momento, muchos investigadores creen que el nitruro de boro hexagonal es un diel\u00e9ctrico de puerta para transistores deficiente. No obstante, el equipo de investigadores ha descubierto que utilizar el metal de puerta adecuado facilita el uso del nitruro de boro hexagonal como diel\u00e9ctrico de puerta en transistores de efecto de campo con canales de disulfuro de molibdeno.<\/p>\n

Esto es de gran trascendencia porque el disulfuro de molibdeno y el nitruro de boro hexagonal (ambos materiales bidimensionales, como el grafeno) son compatibles. Estos materiales pueden formar una interfaz limpia de Van der Waals, lo que permite mejorar la operaci\u00f3n del dispositivo y su fiabilidad.<\/p>\n

La entrada Estudian materiales para fabricar chips de alto rendimiento que mejoren la operaci\u00f3n del dispositivo<\/a> aparece primero en CASADOMO<\/a>.<\/p>\n<\/div>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

La Universidad de Granada ha participado en un estudio que propone la fabricaci\u00f3n de transistores de \u00faltima generaci\u00f3n con materiales bidimensionales para los altos niveles de integraci\u00f3n que la industria necesita en aplicaciones avanzadas de computaci\u00f3n y, en concreto, en transistores de \u00faltima generaci\u00f3n para chips de alto rendimiento. La combinaci\u00f3n platino-nitruro de boro hexagonal … Sigue leyendo Estudian materiales para fabricar chips de alto rendimiento que mejoren la operaci\u00f3n del dispositivo<\/span><\/a><\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"footnotes":""},"categories":[3],"tags":[],"class_list":["post-25503","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-casadomo-com"],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/domosistemas.com\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts\/25503","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/domosistemas.com\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/domosistemas.com\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/domosistemas.com\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/domosistemas.com\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Fcomments&post=25503"}],"version-history":[{"count":0,"href":"https:\/\/domosistemas.com\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts\/25503\/revisions"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/domosistemas.com\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Fmedia&parent=25503"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/domosistemas.com\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Fcategories&post=25503"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/domosistemas.com\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Ftags&post=25503"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}