{"id":26474,"date":"2024-11-21T03:00:47","date_gmt":"2024-11-21T03:00:47","guid":{"rendered":"https:\/\/domosistemas.com\/?p=26474"},"modified":"2024-11-21T03:00:47","modified_gmt":"2024-11-21T03:00:47","slug":"desarrollan-una-tecnologia-de-sensor-de-imagen-de-alta-resolucion-de-proxima-generacion","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/domosistemas.com\/?p=26474","title":{"rendered":"Desarrollan una tecnolog\u00eda de sensor de imagen de alta resoluci\u00f3n de pr\u00f3xima generaci\u00f3n"},"content":{"rendered":"
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Un equipo de investigaci\u00f3n conjunto coreano-estadounidense, compuesto por el Instituto Avanzado de Ciencia y Tecnolog\u00eda de Corea (KAIST<\/a>), la Universidad de Inha y la Universidad de Yale en los Estados Unidos, ha desarrollado una tecnolog\u00eda de sensor de imagen de alta resoluci\u00f3n de pr\u00f3xima generaci\u00f3n, que puede implementar un sensor de imagen de alto rendimiento con mayor eficiencia energ\u00e9tica y tama\u00f1o m\u00e1s peque\u00f1o que los sensores existentes. Este hallazgo aumenta la posibilidad de fabricar futuros sensores para sistemas de seguridad, c\u00e1maras digitales o aplicaciones de sensores, entre otros.<\/p>\n

\"Sensor
El sensor de imagen de fotodiodo ultrafino ha proporcionado una alta eficiencia cu\u00e1ntica, al tiempo que ha reducido el espesor de la capa absorbente de la tecnolog\u00eda existente.<\/figcaption><\/figure>\n

Los investigadores presentaron un fotodiodo de banda ancha (PD) ultrafino que ha permitido crear un nuevo punto de inflexi\u00f3n en la tecnolog\u00eda de sensores de imagen de alto rendimiento. Esta investigaci\u00f3n ha mejorado el equilibrio entre el espesor de la capa de absorci\u00f3n y la eficiencia cu\u00e1ntica observado en las tecnolog\u00edas de fotodiodos existentes. En particular, se ha logrado una alta eficiencia cu\u00e1ntica de m\u00e1s del 70%, incluso con una capa de absorci\u00f3n tan delgada como 1 \u03bcm, dando como resultado una reducci\u00f3n del espesor de la capa absorbente de la tecnolog\u00eda existente en aproximadamente un 70%.<\/p>\n

A medida que la capa de absorci\u00f3n es m\u00e1s delgada, el proceso de p\u00edxeles se vuelve m\u00e1s simple, lo que permite lograr una alta resoluci\u00f3n, y la difusi\u00f3n del portador es m\u00e1s suave, lo cual es ventajoso para obtener portadores \u00f3pticos. Sin embargo, existe el problema de que a medida que la capa de absorci\u00f3n se vuelve m\u00e1s delgada, la absorci\u00f3n de luz de longitud de onda larga disminuye.<\/p>\n

Absorci\u00f3n de luz en un amplio rango espectral<\/h2>\n

Al introducir una estructura de resonancia en modo guiado (GMR), los investigadores demostraron que la absorci\u00f3n de luz de alta eficiencia se puede mantener en un amplio rango espectral de 400 nm a 1.700 nm. Se espera que esta banda de longitud de onda desempe\u00f1e un papel importante en una variedad de aplicaciones industriales, incluida no solo la regi\u00f3n de la luz visible sino tambi\u00e9n la regi\u00f3n del infrarrojo de onda corta (SWIR).<\/p>\n

Se espera que las mejoras de rendimiento en la regi\u00f3n infrarroja de onda corta contribuyan significativamente al desarrollo de sensores de imagen de pr\u00f3xima generaci\u00f3n con una resoluci\u00f3n cada vez mayor. En particular, la estructura de resonancia de modo guiado tiene el potencial de aumentar a\u00fan m\u00e1s la resoluci\u00f3n y otros rendimientos a trav\u00e9s de la integraci\u00f3n h\u00edbrida y la integraci\u00f3n 3D monol\u00edtica con un circuito de lectura de se\u00f1ales (ROIC) basado en semiconductores de \u00f3xido met\u00e1lico complementario (CMOS).<\/p>\n

Con este hallazgo, el equipo de investigaci\u00f3n ha aumentado considerablemente la viabilidad de realizar futuros sensores de im\u00e1genes de ultra alta resoluci\u00f3n, incluso en c\u00e1maras digitales, sistemas de seguridad, im\u00e1genes m\u00e9dicas e industriales, aplicaciones de sensores, conducci\u00f3n de veh\u00edculos aut\u00f3nomos y observaci\u00f3n a\u00e9rea y por sat\u00e9lite.<\/p>\n

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