{"id":26820,"date":"2024-12-17T03:00:13","date_gmt":"2024-12-17T03:00:13","guid":{"rendered":"https:\/\/domosistemas.com\/?p=26820"},"modified":"2024-12-17T03:00:13","modified_gmt":"2024-12-17T03:00:13","slug":"cea-leti-muestra-una-plataforma-para-fabricar-soluciones-de-memoria-mas-rapidas-y-eficientes-para-iot","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/domosistemas.com\/?p=26820","title":{"rendered":"CEA-Leti muestra una plataforma para fabricar soluciones de memoria m\u00e1s r\u00e1pidas y eficientes para IoT"},"content":{"rendered":"
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Los ingenieros de investigaci\u00f3n de CEA-Leti<\/a> han presentado una plataforma de condensadores ferroel\u00e9ctricos escalables basados \u200b\u200ben hafnia-circonia integrada en el back-end-of-line (BEOL) en el nodo de tecnolog\u00eda FD-SOI de 22 nm. La plataforma escalable podr\u00eda permitir la fabricaci\u00f3n de soluciones de memoria m\u00e1s r\u00e1pidas, m\u00e1s eficientes energ\u00e9ticamente y m\u00e1s rentables en sistemas integrados, como IoT, dispositivos m\u00f3viles y computaci\u00f3n de borde.<\/p>\n

\"FeRAM
Esta plataforma abre las puertas al desarrollo de soluciones de memorias r\u00e1pidas y eficientes en sistemas integrados para dispositivos m\u00f3viles, IoT y computaci\u00f3n en la nube.<\/figcaption><\/figure>\n

Este hallazgo representa un avance importante en la tecnolog\u00eda de memoria ferroel\u00e9ctrica, que mejora significativamente la escalabilidad para aplicaciones integradas y posiciona a la RAM ferroel\u00e9ctrica (FeRAM) como una soluci\u00f3n de memoria competitiva para nodos avanzados.<\/p>\n

Los productos FeRAM integrados actuales utilizan materiales de perovskita, como PZT, que no son compatibles con CMOS y no pueden escalarse m\u00e1s all\u00e1 de la tecnolog\u00eda de nodo de 130 nm. El descubrimiento de la ferroelectricidad en pel\u00edculas delgadas basadas en HfO 2, que son compatibles con CMOS y escalables, abre nuevas posibilidades para FeRAM integrado.<\/p>\n

La tecnolog\u00eda FD-SOI ofrece una mayor eficiencia energ\u00e9tica<\/h2>\n

Seg\u00fan los investigadores, la tecnolog\u00eda FD-SOI es conocida por su capacidad de bajo consumo y se adapta muy bien a la FeRAM, que es intr\u00ednsecamente la tecnolog\u00eda de memoria m\u00e1s eficiente energ\u00e9ticamente a nivel de bitcell.<\/p>\n

Para reducir la escala a 22 nm fue necesario fabricar condensadores ferroel\u00e9ctricos 2D funcionales de hasta 0,0028 \u00b5m\u00b2, as\u00ed como condensadores ferroel\u00e9ctricos 3D, manteniendo al mismo tiempo un presupuesto t\u00e9rmico relativamente bajo para la cristalizaci\u00f3n de pel\u00edculas de Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 (HZO).<\/p>\n

Al impulsar la tecnolog\u00eda FeRAM HZO al nodo FD-SOI de 22 nm, esta demostraci\u00f3n abre la puerta a soluciones de memoria m\u00e1s r\u00e1pidas, m\u00e1s eficientes energ\u00e9ticamente y rentables en sistemas integrados como IoT, dispositivos m\u00f3viles y computaci\u00f3n de borde.<\/p>\n

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