{"id":28343,"date":"2025-04-28T02:00:06","date_gmt":"2025-04-28T02:00:06","guid":{"rendered":"https:\/\/domosistemas.com\/?p=28343"},"modified":"2025-04-28T02:00:06","modified_gmt":"2025-04-28T02:00:06","slug":"el-ihp-y-la-universidad-de-nagoya-investigan-sobre-tecnologias-de-semiconductores-avanzados","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/domosistemas.com\/?p=28343","title":{"rendered":"El IHP y la Universidad de Nagoya investigan sobre tecnolog\u00edas de semiconductores avanzados"},"content":{"rendered":"
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El Instituto Leibniz de Microelectr\u00f3nica de Alto Rendimiento (IHP<\/a>) en Alemania est\u00e1 colaborando con la Universidad de Nagoya de Jap\u00f3n en la investigaci\u00f3n de campos de la epitaxia de silicio-germanio (SiGe), la nanotecnolog\u00eda, los dispositivos semiconductores y optoelectr\u00f3nicos avanzados. Adem\u00e1s de la investigaci\u00f3n en nuevas tecnolog\u00edas de semiconductores, la colaboraci\u00f3n incluye un intercambio de cient\u00edficos y estudiantes para compartir conocimientos y experiencias.<\/p>\n

\"Colaboraci\u00f3n
La Universidad de Nagoya y el IHP centrar\u00e1n la investigaci\u00f3n en los campos de la epitaxia de silicio-germanio (SiGe), la nanotecnolog\u00eda, los dispositivos semiconductores y optoelectr\u00f3nicos avanzados.<\/figcaption><\/figure>\n

La investigaci\u00f3n sobre la epitaxia de nanoestructuras de SiGe permite el desarrollo de transistores y fuentes de luz energ\u00e9ticamente eficientes que pueden revolucionar tanto la electr\u00f3nica cu\u00e1ntica como la optoelectr\u00f3nica.<\/p>\n

Para ello, los socios est\u00e1n desarrollando nuevas t\u00e9cnicas y m\u00e9todos de epitaxia para optimizar las interfaces de semiconductores y as\u00ed permitir la miniaturizaci\u00f3n de dispositivos electr\u00f3nicos. Uno de los elementos clave es el estudio de los procesos de epitaxia de SiGe mediante la plataforma tecnol\u00f3gica IHP. Se est\u00e1n investigando las propiedades de los nanohilos y nanopuntos de silicio-germanio para su uso en transistores y l\u00e1seres de silicio energ\u00e9ticamente eficientes.<\/p>\n

Otros temas de investigaci\u00f3n incluyen las propiedades luminiscentes de las nanoestructuras de Si y Ge y soluciones innovadoras para la tecnolog\u00eda sub-10 nm.<\/p>\n

Intercambio acad\u00e9mico para la investigaci\u00f3n en semiconductores<\/h2>\n

Cada a\u00f1o, estudiantes de doctorado y de grado de Jap\u00f3n visitan el IHP para realizar estancias de investigaci\u00f3n y pr\u00e1cticas, adquiriendo experiencia y participando en proyectos innovadores. Por otro lado, los investigadores del IHP participan en la investigaci\u00f3n de la Universidad de Nagoya, utilizando su infraestructura \u00fanica para el desarrollo de semiconductores.<\/p>\n

En el futuro, se prev\u00e9 una colaboraci\u00f3n a\u00fan m\u00e1s estrecha entre el IHP y la Universidad de Nagoya para impulsar nuevos conocimientos en los campos de la epitaxia, los dispositivos cu\u00e1nticos y la optoelectr\u00f3nica.<\/p>\n

En concreto, se llevar\u00e1n a cabo nuevas actividades de proyecto, incluidas las que se encuentran en el marco de la iniciativa Adopci\u00f3n de alianzas sostenibles para un ecosistema de investigaci\u00f3n innovador (Aspire). La investigaci\u00f3n se centrar\u00e1 en materiales semiconductores avanzados y sus aplicaciones en telecomunicaciones y tecnolog\u00edas de sensores.<\/p>\n

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