{"id":28627,"date":"2025-05-22T02:00:43","date_gmt":"2025-05-22T02:00:43","guid":{"rendered":"https:\/\/domosistemas.com\/?p=28627"},"modified":"2025-05-22T02:00:43","modified_gmt":"2025-05-22T02:00:43","slug":"nuevo-avance-en-tecnologia-de-almacenamiento-de-memoria-para-electronica-eficiente-y-ecologica","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/domosistemas.com\/?p=28627","title":{"rendered":"Nuevo avance en tecnolog\u00eda de almacenamiento de memoria para electr\u00f3nica eficiente y ecol\u00f3gica"},"content":{"rendered":"
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Con la finalidad de impulsar los avances en la tecnolog\u00eda de dispositivos de almacenamiento de memoria para que contribuyan a un futuro m\u00e1s ecol\u00f3gico y eficiente, el Centro de Sistemas Electr\u00f3nicos Integrados Innovadores (CIES) de la Universidad de Tohoku<\/a> (Jap\u00f3n) ha logrado la potencia de escritura m\u00e1s baja del mundo para un tipo espec\u00edfico de dispositivo de almacenamiento de memoria. Este hallazgo contribuir\u00e1 a la creaci\u00f3n de electr\u00f3nica de alto rendimiento y bajo consumo energ\u00e9tico.<\/p>\n

\"Oblea
La memoria SOT-MRAM inclinada ofrece una escritura de alta velocidad de hasta 0,35 ns.<\/figcaption><\/figure>\n

A medida que la tecnolog\u00eda avanza, aumenta la demanda de circuitos integrados (CI) de alto rendimiento que puedan mantener el ritmo. Los CI actuales tienen un amplio margen de mejora, ya que la memoria est\u00e1tica de acceso aleatorio (SRAM) y la memoria din\u00e1mica de acceso aleatorio (DRAM) consumen energ\u00eda incluso en modo de espera.<\/p>\n

Una posible soluci\u00f3n que despierta un gran inter\u00e9s mundial son las memorias magnetorresistivas de acceso aleatorio (MRAM), que aprovechan las propiedades magn\u00e9ticas para mantener un alto rendimiento sin consumir demasiada energ\u00eda. En particular, la memoria magnetorresistiva de acceso aleatorio de esp\u00edn-\u00f3rbita-par (SOT-MRAM) tiene el potencial de reemplazar por completo a la SRAM.<\/p>\n

Sin embargo, la SOT-MRAM necesita algunos ajustes, como mejorar su eficiencia energ\u00e9tica a altas velocidades de escritura, adem\u00e1s de eliminar la influencia magn\u00e9tica externa. Para abordar esto, en 2019, un equipo de investigaci\u00f3n de la Universidad de Tohoku demostr\u00f3 una tecnolog\u00eda SOT-MRAM inclinada con escritura a alta velocidad de hasta 0,35 ns sin un campo magn\u00e9tico externo auxiliar.<\/p>\n

Dispositivos SOT inclinados<\/h2>\n

El equipo de investigaci\u00f3n continu\u00f3 hasta la actualidad con esta investigaci\u00f3n sobre la tecnolog\u00eda de dise\u00f1o para la estructura y las propiedades magn\u00e9ticas de los dispositivos SOT inclinados. En concreto, se centraron en el \u00e1ngulo de inclinaci\u00f3n del dispositivo SOT y la anisotrop\u00eda magn\u00e9tica de la capa libre, utilizando simulaci\u00f3n micromagn\u00e9tica para reducir la potencia de escritura.<\/p>\n

Como resultado, lograron la potencia de escritura m\u00e1s baja del mundo, 156 fJ, en dispositivos SOT con inclinaci\u00f3n de 75\u00b0 fabricados mediante el proceso de oblea de 300 mm. Demostraron que estas celdas SOT-MRAM redujeron la potencia de escritura (0,35 ns de escritura sin campo) en un 35% en comparaci\u00f3n con las tecnolog\u00edas actuales de dispositivos SOT, manteniendo la estabilidad (factor de estabilidad t\u00e9rmica [E\/kBT] de 70 y una alta relaci\u00f3n TMR del 170%).<\/p>\n

Estos logros pueden servir de gu\u00eda para el desarrollo de SOT-MRAM inclinadas con bajo consumo de energ\u00eda, alta velocidad y escritura sin campo, lo que las hace pr\u00e1cticas para aplicaciones comerciales. Con base en estos hallazgos, la adopci\u00f3n de SOT-MRAM contribuir\u00e1 a la creaci\u00f3n de electr\u00f3nica de alto rendimiento y bajo consumo energ\u00e9tico, lo que podr\u00eda impulsarnos hacia una nueva era de avances tecnol\u00f3gicos.<\/p>\n

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Con la finalidad de impulsar los avances en la tecnolog\u00eda de dispositivos de almacenamiento de memoria para que contribuyan a un futuro m\u00e1s ecol\u00f3gico y eficiente, el Centro de Sistemas Electr\u00f3nicos Integrados Innovadores (CIES) de la Universidad de Tohoku (Jap\u00f3n) ha logrado la potencia de escritura m\u00e1s baja del mundo para un tipo espec\u00edfico de … Sigue leyendo Nuevo avance en tecnolog\u00eda de almacenamiento de memoria para electr\u00f3nica eficiente y ecol\u00f3gica<\/span><\/a><\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"footnotes":""},"categories":[3],"tags":[],"class_list":["post-28627","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-casadomo-com"],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/domosistemas.com\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts\/28627","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/domosistemas.com\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/domosistemas.com\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/domosistemas.com\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/domosistemas.com\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Fcomments&post=28627"}],"version-history":[{"count":0,"href":"https:\/\/domosistemas.com\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts\/28627\/revisions"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/domosistemas.com\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Fmedia&parent=28627"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/domosistemas.com\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Fcategories&post=28627"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/domosistemas.com\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Ftags&post=28627"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}