{"id":29348,"date":"2025-07-16T03:02:57","date_gmt":"2025-07-16T03:02:57","guid":{"rendered":"https:\/\/domosistemas.com\/?p=29348"},"modified":"2025-07-16T03:02:57","modified_gmt":"2025-07-16T03:02:57","slug":"la-linea-piloto-fames-muestra-la-integracion-de-conmutadores-rf-en-oblea-de-300-mm","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/domosistemas.com\/?p=29348","title":{"rendered":"La l\u00ednea piloto Fames muestra la integraci\u00f3n de conmutadores RF en oblea de 300 mm"},"content":{"rendered":"
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Para abordar las futuras necesidades de comunicaci\u00f3n en el rango de frecuencias sub-THz, CEA-Leti ha presentado la integraci\u00f3n de un interruptor de radiofrecuencia (RF) basado en un material de cambio de fase en el back-end de una tecnolog\u00eda FD-SOI de 300 mm en el nodo de 22 nm. En el marco de la l\u00ednea piloto Fames<\/a>, este avance enriquecer\u00e1 la oferta de tecnolog\u00eda CMOS FD-SOI con interruptores que superan el rendimiento de los interruptores de radiofrecuencia existentes en la banda de frecuencia de terahercios.<\/p>\n

\"Interruptor
Secci\u00f3n transversal del nuevo interruptor de radiofrecuencia con material de cambio de fase en un sustrato CMOS FD-SOI de 22 nm y 300 mm.<\/figcaption><\/figure>\n

Los interruptores de radiofrecuencia basados en materiales de cambio de fase (PCM) ofrecen una alternativa innovadora a las tecnolog\u00edas CMOS convencionales. Gracias a su funcionamiento biestable y su factor de m\u00e9rito ultrabajo (<10 fs), estos dispositivos son \u00f3ptimos para aplicaciones de ondas milim\u00e9tricas (mmWave). Abordan desaf\u00edos clave como el alto rendimiento de datos, el bajo consumo de energ\u00eda y la miniaturizaci\u00f3n de dispositivos, lo que los hace atractivos para telecomunicaciones, IoT, sistemas automotrices, im\u00e1genes, observaci\u00f3n espacial y control industrial.<\/p>\n

Estos interruptores utilizan materiales calcogenuros, como el GeTe, que pueden cambiar reversiblemente entre dos fases: una fase cristalina de baja resistividad y una fase amorfa de alta resistividad. Mediante la aplicaci\u00f3n de pulsos t\u00e9rmicos controlados, el material puede alternar entre estos estados no vol\u00e1tiles, cambiando el dispositivo de RF entre un estado conductor (encendido) y un estado aislante (apagado).<\/p>\n

En este contexto, CEA-Leti ha alcanzado un hito importante con la integraci\u00f3n exitosa de un interruptor de RF PCM en un sustrato de silicio de 300 mm. En concreto, se trata de una integraci\u00f3n de un interruptor de RF PCM en el back-end-of-line (BEOL) de una plataforma industrial CMOS FD-SOI de 22 nm.<\/p>\n

Las pruebas el\u00e9ctricas iniciales demuestran la conmutaci\u00f3n exitosa de los dispositivos entre los estados encendido y apagado. La caracterizaci\u00f3n completa del dispositivo est\u00e1 en curso y se informar\u00e1 en el cuarto trimestre de 2025 como parte del proyecto Fames.<\/p>\n

L\u00edneas de fabricaci\u00f3n de microelectr\u00f3nica avanzada<\/h2>\n

La adopci\u00f3n de obleas de 300 mm permite la compatibilidad con l\u00edneas de fabricaci\u00f3n de microelectr\u00f3nica avanzada, lo que ofrece un mejor rendimiento de los equipos, mayor productividad, menores costes de producci\u00f3n y un mayor rendimiento del dispositivo.<\/p>\n

Esta integraci\u00f3n de BEOL en una plataforma CMOS FDSOI permite una interconexi\u00f3n directa entre el conmutador PCM y los componentes CMOS, eliminando los efectos par\u00e1sitos de los ensambles h\u00edbridos. Este enfoque monol\u00edtico mejora significativamente el rendimiento general del sistema.<\/p>\n

Este avance sienta las bases para nuevas generaciones de arquitecturas de circuitos reconfigurables basadas en CMOS FD-SOI, en particular para abordar las futuras necesidades de comunicaci\u00f3n en el rango de frecuencias sub-THz.<\/p>\n

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Para abordar las futuras necesidades de comunicaci\u00f3n en el rango de frecuencias sub-THz, CEA-Leti ha presentado la integraci\u00f3n de un interruptor de radiofrecuencia (RF) basado en un material de cambio de fase en el back-end de una tecnolog\u00eda FD-SOI de 300 mm en el nodo de 22 nm. En el marco de la l\u00ednea piloto … Sigue leyendo La l\u00ednea piloto Fames muestra la integraci\u00f3n de conmutadores RF en oblea de 300 mm<\/span><\/a><\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"footnotes":""},"categories":[3],"tags":[],"class_list":["post-29348","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-casadomo-com"],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/domosistemas.com\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts\/29348","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/domosistemas.com\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/domosistemas.com\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/domosistemas.com\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/domosistemas.com\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Fcomments&post=29348"}],"version-history":[{"count":0,"href":"https:\/\/domosistemas.com\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts\/29348\/revisions"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/domosistemas.com\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Fmedia&parent=29348"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/domosistemas.com\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Fcategories&post=29348"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/domosistemas.com\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Ftags&post=29348"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}