{"id":29549,"date":"2025-07-31T03:02:57","date_gmt":"2025-07-31T03:02:57","guid":{"rendered":"https:\/\/domosistemas.com\/?p=29549"},"modified":"2025-07-31T03:02:57","modified_gmt":"2025-07-31T03:02:57","slug":"la-linea-piloto-fames-busca-nuevas-tecnicas-para-mejorar-el-rendimiento-de-dispositivos-fd-soi-de-10-nm","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/domosistemas.com\/?p=29549","title":{"rendered":"La l\u00ednea piloto Fames busca nuevas t\u00e9cnicas para mejorar el rendimiento de dispositivos FD SOI de 10 nm"},"content":{"rendered":"
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El avance en la fabricaci\u00f3n de dispositivos FD-SOI de 10 nm implica nuevos retos, especialmente en lo referente al rendimiento y la movilidad de los portadores. Un aspecto crucial para mejorar la eficiencia en estos dispositivos es la introducci\u00f3n controlada de tensi\u00f3n en los materiales semiconductores. Esta tensi\u00f3n puede optimizar la movilidad de electrones en los transistores nMOS, mediante tracci\u00f3n, o la movilidad de huecos en los pMOS, mediante compresi\u00f3n. La l\u00ednea piloto Fames<\/a> est\u00e1 estudiando nuevas t\u00e9cnicas para potenciar el rendimiento de los pr\u00f3ximos nodos tecnol\u00f3gicos, enfoc\u00e1ndose, entre otros aspectos, en la manipulaci\u00f3n precisa de la tensi\u00f3n en los materiales semiconductores, para desarrollar la pr\u00f3xima generaci\u00f3n de dispositivos electr\u00f3nicos basados en FD-SOI.<\/p>\n

\"Oblea.\"
Los investigadores han optimizado las obleas sSOI para dispositivos FD-SOI de 10 nm, logrando mejorar la movilidad de los portadores mediante control preciso de la tensi\u00f3n en materiales semiconductores.<\/figcaption><\/figure>\n

Las obleas sSOI (SOI con tensi\u00f3n incorporada) son especialmente relevantes, ya que la relajaci\u00f3n controlada en estos materiales facilita fases posteriores como la condensaci\u00f3n de germanio. Una de las claves est\u00e1 en aumentar la movilidad de los portadores en el canal de transistores de 10 nm utilizando materiales con deformaci\u00f3n intr\u00ednseca. Para nMOS, se requiere una capa de silicio deformada por tracci\u00f3n, mientras que los pMOS se benefician de una capa de silicio sometida a compresi\u00f3n, muchas veces mediante un canal de SiGe. El uso de sustratos sSOI permite lograr estos niveles de tracci\u00f3n a escala de oblea.<\/p>\n

Estos sustratos proporcionan hasta un 33% de mejora en la corriente efectiva (Ieff) para dispositivos nMOS en comparaci\u00f3n con sustratos SOI tradicionales. Al mismo tiempo, el canal de SiGe sometido a compresi\u00f3n es adecuado para transistores pMOS, y se produce generalmente por t\u00e9cnicas de enriquecimiento de germanio.<\/p>\n

Otro punto relevante es la proporci\u00f3n de germanio necesaria para conseguir canales de Ge condensado en obleas sSOI. Para alcanzar concentraciones de entre 20% y 30%, la epitaxia requiere aproximadamente un 50% de germanio, lo que puede complicar el proceso por cuestiones como el ajuste del voltaje umbral en el dispositivo final.<\/p>\n

Relajaci\u00f3n de la tensi\u00f3n de tracci\u00f3n<\/h2>\n

Para solucionar estos desaf\u00edos, se prioriza la relajaci\u00f3n de la tensi\u00f3n de tracci\u00f3n antes de iniciar la condensaci\u00f3n del germanio. En los experimentos de Fames, la amorfizaci\u00f3n de la capa delgada de silicio a trav\u00e9s de la implantaci\u00f3n de iones (Si o Ar), seguida de un recocido a 850\u00b0C durante 5 minutos, ha resultado efectiva para reducir la tensi\u00f3n de tracci\u00f3n y mejorar la relajaci\u00f3n de la estructura.<\/p>\n

Las mediciones realizadas con microscop\u00eda electr\u00f3nica de transmisi\u00f3n y espectroscop\u00eda Raman han confirmado que la relajaci\u00f3n de la tensi\u00f3n puede alcanzar hasta el 85%, permitiendo as\u00ed m\u00faltiples implementaciones de los procesos de implantaci\u00f3n y recocido para perfeccionar a\u00fan m\u00e1s la calidad de los sustratos sSOI.<\/p>\n

Se prev\u00e9 que futuras investigaciones contin\u00faen perfeccionando la calidad cristalina de las capas relajadas, con el objetivo de soportar el desarrollo de la pr\u00f3xima generaci\u00f3n de dispositivos electr\u00f3nicos basados en FD-SOI.<\/p>\n

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El avance en la fabricaci\u00f3n de dispositivos FD-SOI de 10 nm implica nuevos retos, especialmente en lo referente al rendimiento y la movilidad de los portadores. Un aspecto crucial para mejorar la eficiencia en estos dispositivos es la introducci\u00f3n controlada de tensi\u00f3n en los materiales semiconductores. Esta tensi\u00f3n puede optimizar la movilidad de electrones en … Sigue leyendo La l\u00ednea piloto Fames busca nuevas t\u00e9cnicas para mejorar el rendimiento de dispositivos FD SOI de 10 nm<\/span><\/a><\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"footnotes":""},"categories":[3],"tags":[],"class_list":["post-29549","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-casadomo-com"],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/domosistemas.com\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts\/29549","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/domosistemas.com\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/domosistemas.com\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/domosistemas.com\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/domosistemas.com\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Fcomments&post=29549"}],"version-history":[{"count":0,"href":"https:\/\/domosistemas.com\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts\/29549\/revisions"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/domosistemas.com\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Fmedia&parent=29549"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/domosistemas.com\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Fcategories&post=29549"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/domosistemas.com\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Ftags&post=29549"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}