{"id":29629,"date":"2025-08-07T03:02:52","date_gmt":"2025-08-07T03:02:52","guid":{"rendered":"https:\/\/domosistemas.com\/?p=29629"},"modified":"2025-08-07T03:02:52","modified_gmt":"2025-08-07T03:02:52","slug":"nueva-plataforma-de-condensadores-ferroelectricos-para-mejorar-la-memoria-feram-de-aplicaciones-iot","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/domosistemas.com\/?p=29629","title":{"rendered":"Nueva plataforma de condensadores ferroel\u00e9ctricos para mejorar la memoria FeRAM de aplicaciones IoT"},"content":{"rendered":"<div>\n<div class=\"elementor-element elementor-element-d01ab9d elementor-widget__width-initial elementor-widget elementor-widget-text-editor\" data-id=\"d01ab9d\" data-element_type=\"widget\" data-widget_type=\"text-editor.default\">\n<div class=\"elementor-widget-container\">\n<p>En el marco de la <a href=\"https:\/\/fames-pilot-line.eu\/\" target=\"_blank\" rel=\"noopener\">L\u00ednea Piloto Fames<\/a>, los ingenieros de investigaci\u00f3n de CEA-Leti han demostrado por primera vez una plataforma escalable de condensadores ferroel\u00e9ctricos basados en Hf 0.5 Zr 0.5 O\u2082 (HZO), integrada en el back-end-of-line (BEOL) del nodo tecnol\u00f3gico FD-SOI de 22 nm. Este avance representa un hito importante en la tecnolog\u00eda de memoria ferroel\u00e9ctrica, impulsando significativamente la escalabilidad para aplicaciones embebidas y posicionando la RAM ferroel\u00e9ctrica (FeRAM) como una soluci\u00f3n de memoria competitiva para nodos avanzados. Este hallazgo abre la puerta a soluciones de memoria m\u00e1s r\u00e1pidas, energ\u00e9ticamente m\u00e1s eficientes y rentables en sistemas integrados como IoT, dispositivos m\u00f3viles y computaci\u00f3n de borde, y fortalece a\u00fan m\u00e1s la posici\u00f3n de Europa tanto en FD-SOI como en las tecnolog\u00edas FeRAM.<\/p>\n<figure id=\"attachment_160118\" aria-describedby=\"caption-attachment-160118\" style=\"width: 800px\" class=\"wp-caption aligncenter\"><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" class=\"wp-image-160118 size-full\" src=\"https:\/\/static.casadomo.com\/media\/2025\/08\/linea-fames-plataforma-escalable-condensadores-ferroelectricos.png\" alt=\"Condensador ferroel\u00e9ctrico.\" width=\"800\" height=\"476\" srcset=\"https:\/\/static.casadomo.com\/media\/2025\/08\/linea-fames-plataforma-escalable-condensadores-ferroelectricos.png 800w, https:\/\/static.casadomo.com\/media\/2025\/08\/linea-fames-plataforma-escalable-condensadores-ferroelectricos-300x179.png 300w, https:\/\/static.casadomo.com\/media\/2025\/08\/linea-fames-plataforma-escalable-condensadores-ferroelectricos-768x457.png 768w, https:\/\/static.casadomo.com\/media\/2025\/08\/linea-fames-plataforma-escalable-condensadores-ferroelectricos-180x107.png 180w\" sizes=\"auto, (max-width: 800px) 100vw, 800px\"><figcaption id=\"caption-attachment-160118\" class=\"wp-caption-text\">CEA-Leti ha desarrollado una plataforma escalable de memorias ferroel\u00e9ctricas basada en HZO, superando las limitaciones de miniaturizaci\u00f3n y abriendo nuevas posibilidades para aplicaciones integradas avanzadas.<\/figcaption><\/figure>\n<p>Las memorias Flash integradas convencionales (eFlash) se enfrentan a limitaciones al intentar reducir su tama\u00f1o por debajo del nodo tecnol\u00f3gico de 28 nm, lo que dificulta una mayor miniaturizaci\u00f3n. Para superar este reto de escalabilidad, las memorias de acceso aleatorio ferroel\u00e9ctricas (FeRAM) ofrecen alternativas a las eFlash, as\u00ed como a la DRAM y, eventualmente, a la SRAM, gracias a su consumo intr\u00ednsecamente ultrabajo.<\/p>\n<p>Adem\u00e1s, la tecnolog\u00eda ha evolucionado gracias a las pel\u00edculas ferroel\u00e9ctricas ultrafinas de HfZrO\u2082 (HZO) sin plomo, que pueden depositarse por debajo de los 10 nan\u00f3metros en configuraciones planas o verticales, aprovechando la alta fiabilidad y eficiencia energ\u00e9tica del HZO.<\/p>\n<h2>Escalabilidad en obleas de 300 mm<\/h2>\n<p>Recientemente, los cient\u00edficos del CEA-Leti dieron un paso adelante en la superaci\u00f3n de las limitaciones de escalabilidad al demostrar por primera vez una plataforma BEOL de condensador ferroel\u00e9ctrico (FeCap) basada en HZO en un nodo de tecnolog\u00eda FDSOI de 22 nm en obleas de 300 mm y explorar los rendimientos de matrices FeRAM 1T-1C, gracias a un extenso trabajo de caracterizaci\u00f3n el\u00e9ctrica estad\u00edstica.<\/p>\n<p>En la investigaci\u00f3n, se han demostrado dos tipos de integraciones a escala en el nodo FD-SOI de 22 nm: un condensador ferroel\u00e9ctrico planar 2D convencional (FeCAP) con una superficie tan peque\u00f1a como 0,0028 \u00b5m\u00b2, y un condensador ferroel\u00e9ctrico vertical 3D insertado en una estructura de v\u00eda, lo que permite una superficie de condensador 15 veces mayor que la 2D para la misma huella.<\/p>\n<p>El proceso de integraci\u00f3n se ha optimizado para obtener un presupuesto t\u00e9rmico relativamente bajo para la cristalizaci\u00f3n de la pel\u00edcula de HZO compatible con el BEOL del 22FDX y sin impacto en el rendimiento del transistor.<\/p>\n<p>Este logro representa un avance importante en la tecnolog\u00eda de memoria ferroel\u00e9ctrica, mejorando significativamente la escalabilidad para aplicaciones integradas y posicionando a la RAM ferroel\u00e9ctrica (FeRAM) como una soluci\u00f3n de memoria competitiva para nodos avanzados.<\/p>\n<p>Gracias a su \u00f3ptimo rendimiento y ventajas competitivas, como la no volatilidad, alta velocidad, alta resistencia y bajo consumo de energ\u00eda, FeRAM est\u00e1 bien posicionada para ser la pr\u00f3xima soluci\u00f3n de memoria integrada para nodos FD-SOI avanzados como 10 y 7 nm.<\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n<p>La entrada <a href=\"https:\/\/www.casadomo.com\/2025\/08\/07\/nueva-plataforma-condensadores-ferroelectricos-mejorar-memoria-feram-aplicaciones-iot\">Nueva plataforma de condensadores ferroel\u00e9ctricos para mejorar la memoria FeRAM de aplicaciones IoT<\/a> aparece primero en <a href=\"https:\/\/www.casadomo.com\/\">CASADOMO<\/a>.<\/p>\n<\/div>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>En el marco de la L\u00ednea Piloto Fames, los ingenieros de investigaci\u00f3n de CEA-Leti han demostrado por primera vez una plataforma escalable de condensadores ferroel\u00e9ctricos basados en Hf 0.5 Zr 0.5 O\u2082 (HZO), integrada en el back-end-of-line (BEOL) del nodo tecnol\u00f3gico FD-SOI de 22 nm. 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