{"id":32907,"date":"2026-05-13T02:00:00","date_gmt":"2026-05-13T02:00:00","guid":{"rendered":"https:\/\/domosistemas.com\/?p=32907"},"modified":"2026-05-13T02:00:00","modified_gmt":"2026-05-13T02:00:00","slug":"cataluna-constituye-el-patronato-de-innofab-para-reforzar-el-desarrollo-de-semiconductores","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/domosistemas.com\/?p=32907","title":{"rendered":"Catalu\u00f1a constituye el patronato de InnoFAB para reforzar el desarrollo de semiconductores"},"content":{"rendered":"
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La Generalitat de Catalunya<\/a> ha constituido el patronato de la Fundaci\u00f3n InnoFAB, el nuevo organismo encargado de poner en marcha una infraestructura clave para el desarrollo y prototipado de semiconductores avanzados en Catalu\u00f1a. El proyecto, que cuenta con una inversi\u00f3n prevista de cerca de 400 millones de euros, tiene como objetivo consolidar la regi\u00f3n como un referente europeo en el \u00e1mbito de los chips y las micro y nanotecnolog\u00edas.<\/p>\n

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Los consejeros Al\u00edcia Romero, Econom\u00eda y Finanzas; N\u00faria Montserrat, Investigaci\u00f3n y Universidades; Albert Dalmau, Presidencia, y Miquel S\u00e0mper, Empresa y Trabajo.<\/figcaption><\/figure>\n

La estructura de gobierno de InnoFAB incluir\u00e1 una comisi\u00f3n ejecutiva formada por cinco patronos designados por el propio patronato, adem\u00e1s de los responsables de direcci\u00f3n y gerencia. Tambi\u00e9n est\u00e1 prevista la creaci\u00f3n de un consejo asesor compuesto por investigadores de prestigio y competencia reconocida.<\/p>\n

Un centro de referencia europeo en semiconductores<\/h2>\n

InnoFAB ser\u00e1 el primer centro catal\u00e1n dedicado al desarrollo y prototipado de micro y nanotecnolog\u00edas basadas en semiconductores avanzados. El proyecto t\u00e9cnico ha sido liderado hasta ahora por el ICN2 y contempla una inversi\u00f3n pr\u00f3xima a los 400 millones de euros, con financiaci\u00f3n europea procedente de los fondos NextGenerationEU.<\/p>\n

La instalaci\u00f3n se ubicar\u00e1 en el Parc de l\u2019Alba, junto al Sincrotr\u00f3n, y contar\u00e1 con una sala blanca de 2.000 metros cuadrados destinada a la fabricaci\u00f3n de prototipos y peque\u00f1as series de semiconductores avanzados. Estos desarrollos tendr\u00e1n aplicaciones en \u00e1reas estrat\u00e9gicas como la electr\u00f3nica, la salud y la energ\u00eda.<\/p>\n

El complejo estar\u00e1 formado por tres edificios. El principal, denominado FAB, tendr\u00e1 10.600 metros cuadrados distribuidos en cuatro plantas; el segundo albergar\u00e1 oficinas y laboratorios sobre una superficie de 7.300 metros cuadrados; y un tercero, de 4.000 metros cuadrados, se destinar\u00e1 a servicios auxiliares. En conjunto, la superficie construida se situar\u00e1 cerca de los 22.000 metros cuadrados.<\/p>\n

Reforzar la posici\u00f3n de Catalu\u00f1a en el dise\u00f1o y desarrollo de chips<\/h2>\n

La actividad de InnoFAB se centrar\u00e1 principalmente en Catalu\u00f1a, aunque sus colaboraciones y su impacto se plantean a escala nacional, europea e internacional. El objetivo declarado es consolidar Catalu\u00f1a como un n\u00facleo relevante dentro de la Uni\u00f3n Europea en dise\u00f1o, desarrollo y prototipado de chips.<\/p>\n

La nueva infraestructura aspira a cubrir todo el proceso Lab-to-Fab, de modo que las innovaciones generadas en laboratorios puedan avanzar hacia productos industriales. InnoFAB generar\u00e1 200 puestos de trabajo directos y actuar\u00e1 como plataforma para talento especializado, emprendedores, start-ups tecnol\u00f3gicas y peque\u00f1as y medianas empresas del sector.<\/p>\n

La iniciativa forma parte de la estrategia del Govern para impulsar la investigaci\u00f3n y el desarrollo especializado en tecnolog\u00edas de semiconductores avanzados y preproducci\u00f3n de chips. Tambi\u00e9n se enmarca en el PERTE Chip<\/a> y en la Ley Europea de Chips<\/a>, orientados a reforzar la autonom\u00eda tecnol\u00f3gica europea.<\/p>\n

En la sesi\u00f3n han participado los consejeros de Presidencia, Albert Dalmau; Econom\u00eda y Finanzas, Al\u00edcia Romero; Empresa y Trabajo, Miquel S\u00e0mper, e Investigaci\u00f3n y Universidades, N\u00faria Montserrat. El patronato queda integrado por estos cuatro departamentos, con Montserrat como presidenta y Romero como vicepresidenta.<\/p>\n

Tres proyectos estrat\u00e9gicos de innovaci\u00f3n<\/h2>\n

InnoFAB se integra en el denominado Tridente Innovador previsto por el \u2018Pla Catalunya Lidera\u2019, concebido para reforzar el papel de Catalu\u00f1a en innovaci\u00f3n tecnol\u00f3gica e industrial, con especial atenci\u00f3n al sector de los semiconductores. Junto a este centro, el plan incorpora otros dos proyectos estrat\u00e9gicos.<\/p>\n

El primero es DARE, liderado por el Barcelona Supercomputing Center, que desarrollar\u00e1 tecnolog\u00eda basada en la arquitectura abierta RISC-V para aplicaciones de computaci\u00f3n de altas prestaciones e inteligencia artificial. El segundo es PIXEurope, coordinado por el Institut de Ci\u00e8ncies Fot\u00f2niques, orientado a consolidar el liderazgo europeo en circuitos fot\u00f3nicos integrados con aplicaciones en telecomunicaciones y salud.<\/p>\n

En enero de 2026 se adjudic\u00f3 la redacci\u00f3n del proyecto b\u00e1sico de ingenier\u00eda, paso previo a la ejecuci\u00f3n de las obras, cuya planificaci\u00f3n avanza con el objetivo de posicionar a Catalu\u00f1a como uno de los polos tecnol\u00f3gicos m\u00e1s relevantes de Europa en el \u00e1mbito de los semiconductores.<\/p>\n

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