{"id":33075,"date":"2026-05-26T02:00:00","date_gmt":"2026-05-26T02:00:00","guid":{"rendered":"https:\/\/domosistemas.com\/?p=33075"},"modified":"2026-05-26T02:00:00","modified_gmt":"2026-05-26T02:00:00","slug":"el-proyecto-gigante-avanza-en-el-desarrollo-de-semiconductores-de-gan-para-aplicaciones-estrategicas","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/domosistemas.com\/?p=33075","title":{"rendered":"El proyecto GIGaNTE avanza en el desarrollo de semiconductores de GaN para aplicaciones estrat\u00e9gicas"},"content":{"rendered":"<div>\n<p>La Universidad de Salamanca (<a href=\"https:\/\/usal.es\/\" target=\"_blank\" rel=\"noopener\">USAL<\/a>) participa en el proyecto nacional GIGaNTE, una iniciativa estrat\u00e9gica orientada al desarrollo de la nueva generaci\u00f3n de semiconductores basados en Nitruro de Galio (GaN), una tecnolog\u00eda avanzada para la fabricaci\u00f3n de dispositivos electr\u00f3nicos m\u00e1s eficientes, compactos y robustos que los basados en silicio convencional.<\/p>\n<figure id=\"attachment_173865\" aria-describedby=\"caption-attachment-173865\" style=\"width: 800px\" class=\"wp-caption aligncenter\"><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" class=\"wp-image-173865 size-full\" src=\"https:\/\/static.casadomo.com\/media\/2026\/05\/el-proyecto-gigante-avanza-en-el-desarrollo-de-semiconductores-de-gan-para-aplicaciones-estrategicas-ok.png\" alt=\"\" width=\"800\" height=\"484\" srcset=\"https:\/\/static.casadomo.com\/media\/2026\/05\/el-proyecto-gigante-avanza-en-el-desarrollo-de-semiconductores-de-gan-para-aplicaciones-estrategicas-ok.png 800w, https:\/\/static.casadomo.com\/media\/2026\/05\/el-proyecto-gigante-avanza-en-el-desarrollo-de-semiconductores-de-gan-para-aplicaciones-estrategicas-ok-300x182.png 300w, https:\/\/static.casadomo.com\/media\/2026\/05\/el-proyecto-gigante-avanza-en-el-desarrollo-de-semiconductores-de-gan-para-aplicaciones-estrategicas-ok-768x465.png 768w, https:\/\/static.casadomo.com\/media\/2026\/05\/el-proyecto-gigante-avanza-en-el-desarrollo-de-semiconductores-de-gan-para-aplicaciones-estrategicas-ok-180x109.png 180w\" sizes=\"auto, (max-width: 800px) 100vw, 800px\"><figcaption id=\"caption-attachment-173865\" class=\"wp-caption-text\">Uno de los investigadores del proyecto GIGaNTE con transistores de GaN para RF de alta potencia.<\/figcaption><\/figure>\n<p>El proyecto, liderado por Indra y financiado con m\u00e1s de 9 millones de euros dentro del Programa Misiones de Ciencia e Innovaci\u00f3n (PEICTII 2024-2027) a trav\u00e9s del CDTI, re\u00fane a un consorcio de empresas tecnol\u00f3gicas, centros de investigaci\u00f3n y universidades con el objetivo de reforzar las capacidades nacionales en microelectr\u00f3nica avanzada.<\/p>\n<h2>Desarrollo de semiconductores avanzados<\/h2>\n<p>En este marco, el grupo de investigaci\u00f3n \u2018Nanodispositivos electr\u00f3nicos de alta frecuencia\u2019 (<a href=\"https:\/\/nanoelec.usal.es\/\" target=\"_blank\" rel=\"noopener\">Nanoelec<\/a>) de la USAL, especializado en nanodispositivos electr\u00f3nicos de alta frecuencia, aporta su experiencia en caracterizaci\u00f3n experimental y su exclusivo software de simulaci\u00f3n Monte Carlo, una herramienta desarrollada durante tres d\u00e9cadas que permite modelar el comportamiento de los dispositivos con alta precisi\u00f3n antes de su fabricaci\u00f3n.<\/p>\n<p>El proyecto GIGaNTE (Iniciativa de Investigaci\u00f3n en Tecnolog\u00edas de Nitruro de Galio y Tecnolog\u00edas de Empaquetado Avanzado) se desarrollar\u00e1 durante los pr\u00f3ximos cuatro a\u00f1os, hasta 2029, con el objetivo de superar las limitaciones del silicio tradicional y avanzar hacia dispositivos de radiofrecuencia m\u00e1s eficientes, especialmente en aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia.<\/p>\n<p>La participaci\u00f3n de la USAL se centra en el an\u00e1lisis y validaci\u00f3n de transistores de GaN en condiciones reales de operaci\u00f3n, desde corriente continua hasta alta frecuencia. Para ello, el laboratorio de Dispositivos de Radiofrecuencia, ubicado en el Edificio Multiusos I+D+i, dispone de equipamiento de vanguardia, como una estaci\u00f3n de puntas criog\u00e9nica capaz de trabajar en rangos extremos de temperatura, desde 10 Kelvin hasta 500 Kelvin, lo que permite evaluar el comportamiento de los dispositivos en condiciones ambientales extremas.<\/p>\n<p>El consorcio del proyecto est\u00e1 integrado, adem\u00e1s de por la USAL, por empresas como Indra, Telev\u00e9s, Sparc y RBZ, junto con la participaci\u00f3n cient\u00edfica de la Universidad de Vigo y la Universidad Polit\u00e9cnica de Madrid. El objetivo com\u00fan es desarrollar una cadena de valor completa en Espa\u00f1a que abarque desde el dise\u00f1o de dispositivos hasta su fabricaci\u00f3n, integraci\u00f3n y validaci\u00f3n final, reduciendo la dependencia tecnol\u00f3gica exterior en sectores estrat\u00e9gicos como la defensa y las telecomunicaciones.<\/p>\n<h2>Impacto tecnol\u00f3gico y docente<\/h2>\n<p>La tecnolog\u00eda de Nitruro de Galio (GaN) permitir\u00e1 avanzar en sistemas de radar de nueva generaci\u00f3n, comunicaciones seguras e infraestructuras de telecomunicaciones de alta capacidad, gracias a su mayor eficiencia frente al silicio.<\/p>\n<p>La investigaci\u00f3n desarrollada en la USAL tambi\u00e9n tendr\u00e1 impacto en la docencia, ya que los resultados del proyecto se incorporar\u00e1n al M\u00e1ster Universitario en Semiconductores y Tecnolog\u00edas Electr\u00f3nicas, impartido junto con la Universidad de Valladolid, permitiendo a los estudiantes formarse en un entorno directamente vinculado a la investigaci\u00f3n real en microelectr\u00f3nica.<\/p>\n<p>La participaci\u00f3n de la USAL en GIGaNTE se articula mediante contratos de transferencia tecnol\u00f3gica, lo que supondr\u00e1 una financiaci\u00f3n cercana a los 340.000 euros entre 2026 y 2029, destinada a la contrataci\u00f3n de personal investigador y a la modernizaci\u00f3n del equipamiento del laboratorio.<\/p>\n<p>La entrada <a href=\"https:\/\/www.casadomo.com\/2026\/05\/26\/proyecto-gigante-avanza-desarrollo-semiconductores-gan-aplicaciones-estrategicas\">El proyecto GIGaNTE avanza en el desarrollo de semiconductores de GaN para aplicaciones estrat\u00e9gicas<\/a> aparece primero en <a href=\"https:\/\/www.casadomo.com\/\">CASADOMO<\/a>.<\/p>\n<\/div>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>La Universidad de Salamanca (USAL) participa en el proyecto nacional GIGaNTE, una iniciativa estrat\u00e9gica orientada al desarrollo de la nueva generaci\u00f3n de semiconductores basados en Nitruro de Galio (GaN), una tecnolog\u00eda avanzada para la fabricaci\u00f3n de dispositivos electr\u00f3nicos m\u00e1s eficientes, compactos y robustos que los basados en silicio convencional. 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